FDB8160_F085

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263AB
数量:
 5418  
说明:
 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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中文参数如下:

工厂包装数量:800
上升时间:18.9 ns
功率耗散:254 W
栅极电荷 Qg:187 nC
下降时间:27 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263AB
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.5 mOhms
漏极连续电流:80 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB8160_F085的详细信息,包括FDB8160_F085厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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