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FDB082N15A

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 3825
说明：: MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

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FDB082N15A-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

FDB082N15A PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
上升时间：58 ns
功率耗散：231 W
栅极电荷 Qg：64.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：139 S
下降时间：26 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.7 mOhms
漏极连续电流：105 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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