FDB10AN06A0

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 2736  
说明:
 MOSFET N-Channel PowerTrench
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FDB10AN06A0 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:27 ns
工厂包装数量:800
上升时间:128 ns
功率耗散:135 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:36 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263AB
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0095 Ohms at 10 V
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB10AN06A0的详细信息,包括FDB10AN06A0厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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