首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FDA18N50

FDA18N50

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3PN
数量：: 2709
说明：: MOSFET 500V N-CH MOSFET

一、本商品被浏览0次.

FDA18N50 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：95 ns
工厂包装数量：30
上升时间：165 ns
功率耗散：239 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：25 S
下降时间：90 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3PN
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.265 Ohms
漏极连续电流：19 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDA18N50的详细信息，包括FDA18N50厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：