FCP11N60_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220AB
数量:
 2205  
说明:
 MOSFET 600V 11A N-CH
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FCP11N60_Q-TO-220AB图片

FCP11N60_Q PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:119 ns
上升时间:98 ns
功率耗散:125 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :9.7 S
下降时间:56 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.32 Ohms
漏极连续电流:11 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FCP11N60_Q的详细信息,包括FCP11N60_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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