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FCI25N60N_F102

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 I2PAK
数量：
 6237  
说明：
 MOSFET 600V N-CHAN SupreMOS
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FCI25N60N_F102-I2PAK图片

FCI25N60N_F102 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
功率耗散：216 W
包装形式：Tube
封装形式：I2PAK
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.107 Ohms
漏极连续电流：25 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FCI25N60N_F102的详细信息，包括FCI25N60N_F102厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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