首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FCH35N60

FCH35N60

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-247-3
数量：
 5409  
说明：
 MOSFET 600V N-Channel SuperFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FCH35N60-TO-247-3图片

FCH35N60 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：105 ns
工厂包装数量：30
上升时间：120 ns
功率耗散：312.5 W
栅极电荷 Qg：139 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：28.8 S
下降时间：73 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：79 mOhms
漏极连续电流：35 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FCH35N60的详细信息，包括FCH35N60厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • TK33S10N1Z,LQ
  • IPD80R1K2P7ATMA1
  • TPH1R204PL,L1Q
  • NVTFS9D6P04M8LTAG
  • AOWF190A60C
  • AOW190A60C
  • NTMFS5C442NT3G
  • IPI120N06S402AKSA2
  • NVMFS5C468NWFT1G
  • SQJA72EP-T1_BE3

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC