FCD900N60Z

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 11112  
说明:
 MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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FCD900N60Z-TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63图片

FCD900N60Z PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:33.6 ns
上升时间:5.2 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:13 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :4.6 S
下降时间:11.9 ns
包装形式:Reel
封装形式:D-PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):900 mOhms
漏极连续电流:4.5 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:650 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FCD900N60Z的详细信息,包括FCD900N60Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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