FCD9N60NTM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 1865
说明：: MOSFET 600V N-Channel SupreMOS

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FCD9N60NTM-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

FCD9N60NTM PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：28.7 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：9.6 ns
功率耗散：92.6 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：17.8 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5.3 S
下降时间：11.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.33 Ohms
漏极连续电流：9 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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