FCB20N60F_F085

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-263AB
数量：: 2009
说明：: MOSFET 600V, 20A SuperFET

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FCB20N60F_F085 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：211 ns
上升时间：66 ns
功率耗散：405 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：78 nC
下降时间：42 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：171 mOhms
漏极连续电流：20 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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