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FCB11N60TM

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 D2PAK（TO-263）
数量：
 8703  
说明：
 MOSFET HIGH_POWER
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FCB11N60TM-D2PAK（TO-263）图片

FCB11N60TM PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：119 ns
工厂包装数量：800
上升时间：98 ns
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：56 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.38 Ohms
漏极连续电流：11 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FCB11N60TM的详细信息，包括FCB11N60TM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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