首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FCA20N60_F109

FCA20N60_F109

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-3PN
数量：
 8541  
说明：
 MOSFET 600V N-CH MOSFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FCA20N60_F109-TO-3PN图片

FCA20N60_F109 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：230 ns
工厂包装数量：30
上升时间：140 ns
功率耗散：208 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：65 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3PN
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FCA20N60_F109的详细信息，包括FCA20N60_F109厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC