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中文参数如下:
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封装封装/外壳:模块
安装类型:底座安装
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3.68nF @ 800V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):124nC @ 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 20mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22.5 毫欧 @ 50A,15V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A
漏源电压(Vdss):1200V
FET 功能:-
配置:4 个 N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:停产
包装:EasyPACK?
系列:托盘
品牌:Infineon Technologies
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