F423MR12W1M1B76BPSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: AG-EASY1B-2
数量：: 4014
说明：: MOSFET MODULE

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F423MR12W1M1B76BPSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3680pF @ 800V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：124nC @ 15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 20mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：22.5 毫欧 @ 50A，15V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tj）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：4 N 沟道（半桥）
技术：碳化硅（SiC）
产品状态：停产
包装：EasyPACK? CoolSiC?
系列：托盘
品牌：Infineon Technologies

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