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ESD11B5.0SMT5G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 2-覆晶
数量：
 4104  
说明：
 TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 BI DIR MID CAP TVS
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ESD11B5.0SMT5G-2-覆晶图片

ESD11B5.0SMT5G PDF参数资料

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中文参数如下：

端接类型：SMD/SMT
工厂包装数量：5000
峰值脉冲功率耗散：250 mW
包装形式：Reel
安装风格：SMD/SMT
尺寸：0.3 mm W x 0.6 mm L
电容：13.5 pF
最大工作温度：+ 125 C
最小工作温度：- 40 C
封装形式：Flip-Chip
系列：ESD11B
击穿电压：5.8 V
工作电压：5 V
极性：Bidirectional
RoHS：是
产品种类：TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器
制造商：ON Semiconductor

以上是ESD11B5.0SMT5G的详细信息，包括ESD11B5.0SMT5G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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