ESD11B5.0ST5G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 2-DSN（0.60x0.30）
数量：: 4113
说明：: TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 BI DIR MID CAP TVS

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ESD11B5.0ST5G PDF参数资料

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中文参数如下：

端接类型：SMD/SMT
工厂包装数量：5000
峰值脉冲功率耗散：250 mW
包装形式：Reel
安装风格：SMD/SMT
电容：12 pF
最大工作温度：+ 125 C
最小工作温度：- 40 C
封装形式：DSN2
系列：ESD11B
钳位电压：10 V
击穿电压：5.8 V
工作电压：5 V
极性：Bidirectional
RoHS：是
产品种类：TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器
制造商：ON Semiconductor

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