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ECH8619-TL-E

厂家：
  onsemi
封装：
 8-ECH
数量：
 7866  
说明：
 MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8
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中文参数如下：
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C93 毫欧 @ 1.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)60V
Id 时的 Vgs(th)（最大）-
闸电荷(Qg) @ Vgs12.8nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A, 2A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 560pF @ 20V
功率 - 最大1.3W
安装类型表面贴装

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