EC3A03B-TL-H

厂家：: ON Semiconductor
封装：: ECSP1006-3
数量：: 4221
说明：: JFET N-Channel JFET Convs Infrared Sensor Apps

一、本商品被浏览0次.

EC3A03B-TL-H PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装：ECSP1006-3
封装/外壳：3-XFDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：100 mW
电阻 - RDS(On)：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1.7pF @ 10V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1.5 V @ 1 μA
漏极电流 (Id) - 最大值：1 mA
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 μA @ 20 V
漏源电压（Vdss）：40 V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

以上是EC3A03B-TL-H的详细信息，包括EC3A03B-TL-H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块