EC3A04B-3-TL-H

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 ECSP1006-3
数量:
 4275  
说明:
 JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
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EC3A04B-3-TL-H PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:ECSP1006-3
封装/外壳:3-XFDFN
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
功率 - 最大值:100 mW
电阻 - RDS(On):200 Ohms
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4pF @ 10V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):180 mV @ 1 μA
漏极电流 (Id) - 最大值:10 mA
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):1.2 mA @ 10 V
漏源电压(Vdss):30 V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
FET 类型:N 通道
产品状态:停产
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:onsemi

以上是EC3A04B-3-TL-H的详细信息,包括EC3A04B-3-TL-H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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