DMN6068LK3-13

厂家:
  Diodes Inc.
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 16303  
说明:
 MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL
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DMN6068LK3-13 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:11.9 ns
上升时间:10.8 ns
功率耗散:4.12 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:10.3 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :19.7 S
下降时间:8.7 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO252-3L
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):68 mOhms
漏极连续电流:8.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是DMN6068LK3-13的详细信息,包括DMN6068LK3-13厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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