DMN2004DWK-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: SOT-363
数量：: 106055
说明：: MOSFET Dual N-Channel

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DMN2004DWK-7 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
功率耗散：200 mW
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：550 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：0.54 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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