DMN2004DWK-7

厂家:
  Diodes Inc.
封装:
 SOT-363
数量:
 106055  
说明:
 MOSFET Dual N-Channel
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DMN2004DWK-7 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:3000
功率耗散:200 mW
最小工作温度:- 65 C
包装形式:Reel
封装形式:SOT-363-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):550 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:0.54 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

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