DMG4466SSS-13

厂家：: Diodes Inc.
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 4392
说明：: MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：14.6 ns
上升时间：7.9 ns
功率耗散：1.42 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3.1 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：15 mOhms at 10 V, 25 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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