DMG3415UFY4-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: 3-XFDFN
数量：: 3780
说明：: MOSFET MOSFET P-CHAN.

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DMG3415UFY4-7 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：884.5 ns
工厂包装数量：1
上升时间：175.2 ns
功率耗散：0.49 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：10 nC
下降时间：568 ns
包装形式：Reel
封装形式：DFN2015
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：40 mOhms
漏极连续电流：- 2.5 A
汲极/源极击穿电压：- 16 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

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