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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:25 ns, 21 nS
功率耗散:35 mOhms, 74 mOhms
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:5.7 nC, 7 nC
包装形式:Reel
封装形式:TSOT26-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
漏极连续电流:4.5 A, 3.1 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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