CTLDM303N-M832DS TR

厂家：: Central Semiconductor
封装：: TLM832DS
数量：: 4185
说明：: MOSFET SMD Sm Signal Mosfet Dual N-Ch Enhanced

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CTLDM303N-M832DS TR PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：1.65 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：13 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：11.8 S
包装形式：Reel
封装形式：TLM832DS
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.04 Ohms
漏极连续电流：3.6 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Central Semiconductor

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