CTA2P1N-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: -
数量：: 6155
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP-TRANS N-CH MFET

一、本商品被浏览0次.

CTA2P1N-7 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最大功率耗散：150 mW
直流电流增益 hFE 最大值：300
集电极连续电流：- 600 mA
封装形式：SOT-363
安装风格：SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
集电极—射极饱和电压：- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V
集电极—基极电压 VCBO：- 40 V
晶体管极性：PNP, N-Channel
配置：Dual
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

以上是CTA2P1N-7的详细信息，包括CTA2P1N-7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：