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中文参数如下:
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封装封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:1.5W(Ta)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1150pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):18 毫欧 @ 6.5A,4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Ta)
漏源电压(Vdss):20V
FET 功能:-
配置:2 N 沟道(双)共漏
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:停产
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Comchip Technology
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