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中文参数如下:
工厂包装数量:3000
包装形式:Box
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:350 mW
封装形式:SOT-23
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 1 mA at 10 V
增益带宽产品fT:20 MHz
最大直流电集电极电流:0.3 A
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V
集电极—基极电压 VCBO:450 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:过渡期间
制造商:Central Semiconductor
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