CMPTA56TR

厂家：: Central Semiconductor
封装：: SOT-23
数量：: 1116
说明：: 两极晶体管 - BJT Single PNP 80V 500mA

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CMPTA56TR PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：350 mW
直流电流增益 hFE 最大值：50 at 10 mA at 1 V
集电极连续电流：0.45 A
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：50 at 10 mA at 1 V
增益带宽产品fT：50 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

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