CMLT3906E

厂家:
  Central Semiconductor
封装:
 SOT-563
数量:
 7273  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP Complementary Enhanced
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
CMLT3906E-SOT-563图片

CMLT3906E PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

工厂包装数量:3000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:350 mW
集电极连续电流:0.45 A
封装形式:SOT-563
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:90 at 0.1 mA at 1 V
增益带宽产品fT:300 MHz
最大直流电集电极电流:0.2 A
集电极—射极饱和电压:40 V
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:PNP
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor

以上是CMLT3906E的详细信息,包括CMLT3906E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • CMLT3946E图片

    CMLT3946E

    两极晶体管 - BJT NPN/PNP Complemntry

  • CMLT5078E图片

    CMLT5078E

    两极晶体管 - BJT Dual - NPN/PNP Enhanced

  • CMLT5087E图片

    CMLT5087E

    两极晶体管 - BJT Dual - PNP/PNP Enhanced

  • CMLT5088E图片

    CMLT5088E

    两极晶体管 - BJT Dual - NPN/NPN Enhanced

  • CMLT5551图片

    CMLT5551

    两极晶体管 - BJT Dual NPN Small Sgnl High Voltage

  • CMLT5551HC图片

    CMLT5551HC

    两极晶体管 - BJT Small Signal NPN Hi Volt

  • CMLT6427E图片

    CMLT6427E

    两极晶体管 - BJT SMD Small Signal Transistor NPN

  • CMLT7820G图片

    CMLT7820G

    两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor PNP

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC