CMLT3906E

厂家：: Central Semiconductor
封装：: SOT-563
数量：: 7273
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Complementary Enhanced

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CMLT3906E PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：350 mW
集电极连续电流：0.45 A
封装形式：SOT-563
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：90 at 0.1 mA at 1 V
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.2 A
集电极—射极饱和电压：40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

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