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中文参数如下:
工厂包装数量:3000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:350 mW
集电极连续电流:0.45 A
封装形式:SOT-563
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:90 at 0.1 mA at 1 V
增益带宽产品fT:300 MHz
最大直流电集电极电流:0.2 A
集电极—射极饱和电压:40 V
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:NPN/PNP
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
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