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中文参数如下:
功率耗散:150 W
栅极电荷 Qg:90.8 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :7.3 S, 6.8 S
封装形式:TO-247-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):80 mOhms
漏极连续电流:33 A
闸/源击穿电压:25 V
汲极/源极击穿电压:1200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Cree, Inc.
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