中文参数如下:
功率耗散:40 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5.2 S
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.09 Ohms
漏极连续电流:14 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:50 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
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