BUT11ATU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220
数量:
 2655  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor
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BUT11ATU-TO-220图片

BUT11ATU PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BUT11ATU_NL
工厂包装数量:50
包装形式:Tube
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:100000 mW
集电极连续电流:5 A
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
最大直流电集电极电流:5 A
集电极—射极饱和电压:450 V
发射极 - 基极电压 VEBO:9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:450 V
集电极—基极电压 VCBO:1 kV
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是BUT11ATU的详细信息,包括BUT11ATU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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