首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > BUT11-S

BUT11-S

厂家：
  Bourns
封装：
 TO-220
数量：
 1692  
说明：
 两极晶体管 - BJT 850V 5A NPN
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BUT11-S-TO-220图片

BUT11-S PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：12MHz
功率 - 最大值：100 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 500mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）：50μA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 600mA，3A
电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：Bourns Inc.

以上是BUT11-S的详细信息，包括BUT11-S厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • DTC123YCA-TP
  • DTA124XCAT116
  • DTC024XUBTL
  • DTA143TCAT116
  • DTA114TCAT116
  • DTA024XUBTL
  • DTA013ZUBTL
  • DTC143XEBTL
  • DTA143XEBTL
  • DTA143TEBTL

    • 相近型号推荐

    • BUT11TU图片

      BUT11TU

      两极晶体管 - BJT NPN Sil Transistor

    • BUT12A图片

      BUT12A

      两极晶体管 - BJT NPN Sil Transistor

    • BUT12ATU图片

      BUT12ATU

      两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC