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BUT11AFTU

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220F-3
数量：
 2619  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor
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BUT11AFTU-TO-220F-3图片

BUT11AFTU PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-220-3 整包
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：40 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：-
电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 500mA，2.5A
电压 - 集射极击穿（最大值）：450 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A
晶体管类型：NPN
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：onsemi

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