首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > BUT11

BUT11

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220
数量：
 2601  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN Sil Transistor
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BUT11-TO-220图片

BUT11 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：200
包装形式：Bulk
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：100 W
集电极连续电流：5 A
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
最大直流电集电极电流：5 A
集电极—射极饱和电压：400 V
发射极 - 基极电压 VEBO：9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
集电极—基极电压 VCBO：850 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BUT11的详细信息，包括BUT11厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • DTC015EUBTL
  • DTC044TUBTL
  • DTA043TUBTL
  • DTC123YCA-HF
  • DTA123YCA-HF
  • DTA143XCA-HF
  • DTC114WCA-HF
  • DTC113ZCA-HF
  • DTC143XCA-HF
  • DTC114YCA-HF

    • 相近型号推荐

    • BUT11A图片

      BUT11A

      两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC