首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > BUK965R8-100E,118

BUK965R8-100E,118

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 D2PAK
数量：
 8455  
说明：
 MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BUK965R8-100E,118-D2PAK图片

BUK965R8-100E,118 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：800
功率耗散：357 W
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.8 mOhms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：2.1 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是BUK965R8-100E,118的详细信息，包括BUK965R8-100E,118厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPD19DP10NMATMA1
  • STF22N60DM6
  • TK12Q60W,S1VQ
  • CSD19532KTT
  • IPP100N04S303AKSA1
  • NTMFS4H02NFT1G
  • IRF840HPBF
  • IPP80R1K2P7XKSA1
  • STD10N60DM2
  • TK290P60Y,RQ

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC