BUK965R8-100E,118

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 D2PAK
数量:
 8455  
说明:
 MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
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BUK965R8-100E,118 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:800
功率耗散:357 W
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.8 mOhms
漏极连续电流:120 A
闸/源击穿电压:2.1 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

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