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BUK761R3-30E,118

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 D2PAK
数量：
 5049  
说明：
 MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
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BUK761R3-30E,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
功率耗散：357 W
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.3 mOhms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：4 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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