BUK1M200-50SGTDT/R

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SO-20
数量：: 8154
说明：: MOSFET TOPFET MULTICHAN FET

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BUK1M200-50SGTDT/R PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BUK1M200-50SGTD,11
典型关闭延迟时间：3200 ns
工厂包装数量：500
上升时间：700 ns
功率耗散：9.4 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：1600 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-20
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Quad
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.38 Ohms
漏极连续电流：2.7 A
汲极/源极击穿电压：50 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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