BUK1M200-50SDLD,11

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
数量：: 8253
说明：: MOSFET BUK1M200-50SDLD/SO20/REEL7//

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BUK1M200-50SDLD,11 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 us
工厂包装数量：500
上升时间：11 us
功率耗散：9.4 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：14 us
包装形式：Reel
封装形式：SO-20
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Quad
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.38 Ohms
汲极/源极击穿电压：50 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：NXP

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