BTS7904BATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO263-5-1
数量：: 5418
说明：: MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：TO-263-6，D2Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：69W，96W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6100pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：121nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 40μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.7 毫欧 @ 20A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A
漏源电压（Vdss）：55V，30V
FET 功能：逻辑电平门
配置：N 和 P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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