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BTS247ZE3062AATMA2

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO263-5-2
数量：: 8748
说明：: MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5

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中文参数如下：
：-40°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：120W（Tc）
FET 功能：温度检测二极管
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1730 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 90μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 12A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc）
漏源电压（Vdss）：55 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：TEMPFET?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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