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BSZ0910NDXTMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-WISON-8
数量：: 5697
说明：: DIFFERENTIATED MOSFETS

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BSZ0910NDXTMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-PowerVDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：1.9W（Ta），31W（Tc）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：800pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.6nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 9A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.5A（Ta），25A（Tc）
漏源电压（Vdss）：30V
FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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