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中文参数如下:
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封装封装/外壳:8-PowerVDFN
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:700mW(Ta),860mW(Ta)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):730pF @ 15V,900pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):6.4nC @ 4.5V,7.9nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.5 毫欧 @ 9A,10V,7.2 毫欧 @ 9A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A(Ta),8.5A(Ta)
漏源电压(Vdss):30V
FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
配置:2 N-通道(双)
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:停产
包装:OptiMOS?
系列:卷带(TR)
品牌:Infineon Technologies
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