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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:11 ns at N Channel, 18 ns at P Channel
工厂包装数量:3000
功率耗散:200 mW
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.08 S, 0.05 S
包装形式:Reel
封装形式:SOT-363
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.4 Ohms
漏极连续电流:115 mA, -130 mA
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:70 V, -50 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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