BSS806NH6327XTSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-SOT23
数量:
 4200  
说明:
 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
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BSS806NH6327XTSA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):500mW(Ta)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):529 pF @ 10 V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):1.7 nC @ 2.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,2.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A(Ta)
漏源电压(Vdss):20 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:OptiMOS?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Infineon Technologies

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