BSS806NH6327XT

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-SOT-23
数量:
 7936  
说明:
 MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor
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BSS806NH6327XT PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BSS806N BSS806NH6327XTSA1 H6327
典型关闭延迟时间:12 ns
上升时间:9.9 ns
功率耗散:500 mW
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:1.7 nC
下降时间:3.7 ns
包装形式:Reel
封装形式:PG-SOT-23
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):57 mOhms at 2.5 V
漏极连续电流:2.3 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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