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BSR316PH6327XTSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SC59-3
数量：: 4023
说明：: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59

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BSR316PH6327XTSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：500mW（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：165 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 170μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.8 欧姆 @ 360mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：360mA（Ta）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：SIPMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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