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BSP613P L6327

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 SOT-223-4
数量：
 8694  
说明：
 MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR
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BSP613P L6327-SOT-223-4图片

BSP613P L6327 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSP613PL6327HUSA1 BSP613PL6327XT SP000089224
典型关闭延迟时间：26 ns
工厂包装数量：1
上升时间：9 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：130 mOhms
漏极连续电流：2.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSP613P L6327的详细信息，包括BSP613P L6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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